ME-L是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪，凝聚了科研团队在椭偏技术多年的投入，其采用行业前沿的创新技术，包括消色差补偿器、双旋转补偿器同步控制、穆勒矩阵数据分析等。可应用于半导体薄膜结构，半导体周期性纳米结构，新材料，新物理现象研究，平板显示，光伏太阳能，功能性涂料，生物和化学工程，块状材料分析以及各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析。
双旋转补偿器(DRC)配置一次测量全部穆勒矩阵16个元素；配置自动变角器、五维样件控制平台等优质硬件模块，软件交互式界面配合辅助向导式设计，易上手、操作便捷；丰富的数据库和几何结构模型库，保证强大数据分析能力。
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型号 | ME-L全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪 |
主要特点 | 1、采用氘灯和卤素灯复合光源，光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm) 2、可实现穆勒矩阵数据处理，测量信息量更大，测量速度快、数据更加精准 3、基于双旋转补偿器配置，可一次测量获得全部穆勒矩阵的16个元素，相对传统光谱椭偏仪可获取更加丰富全面的测量信息 4、颐光专利技术确保在宽光谱范围内，提供优质稳定的各波段光谱 5、数百种材料数据库、多种算法模型库，涵盖了目前绝大部分的光电材料 6、集成对纳米光栅的分析，可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息 |
技术参数 | 1、应用：科研级/企业级 2、基本功能：Psi/Delta、R/T、穆勒矩阵等光谱 3、分析光谱：380-1000nm(支持扩展至210-1650nm) 4、单次测量时间：1-8s 5、重复性测量精度：0.005nm 6、**精度(直通测量空气) 椭偏参数:ψ=45±0.05°△=0±0.1° 穆勒矩阵:对角元素m=1±0.005；非对角元素m=0±0.005 7、光斑大小：大光斑2-3mm；微光斑200μm |
可选配置 | 波段选择 V:380-1000nm UV:245-1000nm XN:210-1650nm DN+:193-2500nm 角度选择 自动:45-90° 手动:55-75°(5°步进),90° 固定:65° 其他选择 Mapping选择:100×100mm(供参考,按需定制) 温控台:室温一600C(供参考,按需定制) |
可选配件 | 1 | 温控台 | |
2 | Mapping扩展模块 | |
3 | 真空泵 | |
4 | 透射吸附组件 | |
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