吸附生长

推荐单层多晶石墨烯薄膜制备成功

近日，中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室先进炭材料研究部石墨烯研究组采用溶碳量适中的金属铂片作为生长基体，发展出一种基于“析出-表面吸附生长”原理的CVD方法，仅通过改变析出温度便实现了对石墨烯形核密度的控制，成功制备出高质量单层多晶石墨烯薄膜。[更多]