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用途
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
PECVD系统配置;
1.1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2.等离子射频电源
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统(单独购买)
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特性;
电源范围广;温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高,可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
系统名称 | 集成型PECVD系统 | 1200℃小型PECVD系统 |
系统型号 | PECVD-12IH-500A | PECVD-12IH-4Z/G |
控制方式 | 液晶屏微PLC控制系统 | 手动 |
最高温度 | 1200℃ |
加热区长度 | 200mm |
恒温区长度 | 100mm |
温区 | 单温区 |
石英管管径 | Φ60mm | Φ50mm |
额定功率 | 1.2Kw | 2Kw |
额定电压 | 220V |
滑动方式及距离 | 自动滑动;200mm | 手动滑动;200mm |
温度控制 | 30段程序控温 | 50段程序控温 |
控制精度 | ±1℃ |
炉管最高工作温度 | <1200℃ |
气路法兰 | 采用多环密封技术卡箍快速连接 |
排风冷却装置 | 先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到50℃时, 排温风扇将自动启动,使炉体表面快速降温。 |
气体控制方式 | 质量流量计(按键式) |
气路数量 | 2路(2-4路) | 4路(可根据具体需要选配气路数量) |
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定 |
精度 | ±1%F.S |
响应时间 | 1sec |
工作温度(流量计) | 20-120℃ |
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) |
进气方式 | 采用防倒流设计 |
规格 | 中真空(集成型请单独购买) |
系统真空范围 | 10Pa-100Pa |
真空泵 | 双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S(选配:其他抽速真空泵),出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw |
信号频率 | 13.56MHz±0.005% |
功率输出范围 | 0W-500W | 0W-100W |
最大反射功率 | 350W | 30W |
射频输出接口 | 50Ω,N-type,temale |
功率稳定度 | ±0.1% |
谐波分量 | ≤-50dbc |
供电电压 | 单相交流(187V-253V)频率50/60HZ |
整机功率 | ≥70% |
屏幕显示 | 正方向功率,匹配器电容位置,偏置电压值 |
炉体外形尺寸 | 290×350×340mm | 290×350×495mm |
系统外形尺寸 | 420×1440×1100mm | 530×2310×750mm |
系统总重量 | 270Kg |