主要功能 本设备是我公司专门要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、MEMS、化合物半导体、声表面波器件的研制和生产，该机器是高校、研究所、企业用户优选的高性价比机型� 主要技术参数： 1．曝光类型：单面曝光；双面曝光；双面对准单面曝光 可� 2．曝光面积：160×160mm�?10×2100mm�?10×310mm；可� 3．曝光照度不均匀性：�?.5%�?Φ150mm 范围）； 4．曝光强度：�?0mw/cm2可调� 5．紫外光束角：≤2?� 6．紫外光中心波长�?65nm�?05nm可� 7．紫外光源寿命：�?万小时； 8．曝光分辨率�?.8μm� 9．曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光� 10．显微镜扫描范围�?nbsp; Y：�?0mm� 11．对准范围：X、Y±5mm（移动精�?.5um），Q±6°（移动精�?.001°� 12．对准精度：±0.5um� 13．分离量�?�?000μm可调� 14．接触－分离漂移：≤1μm� 15．曝光方式：真空接触、硬接触、压力接触、接近式� 16.掩模版尺寸：3″�?″�?″�?″�?″�?″�?″�?�?″�?�?3″�?3″各一件； 17.标配承片台： 2 英寸�? 英寸�? 英寸�? 英寸�? �?2、英寸各一件； 18.标准配件可兼容样片厚度：0.1-6 mm� 19.可设计工作厚度：50 mm� 20.对准系统：CCD